“肖特基势垒二极管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11243110个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880044999.6在审
发明人：佐佐木公平;胁本大树;小石川结树;韶光秀 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种包括Ga2O3系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具备：半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；阳极电极(11)，其与导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Mo或者W；以及阴极电极(12)，肖特基势垒二极管(1)的开启电压为0.3V以上且0.5V以下。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201310306272.X无效
发明人：堀井拓;宫崎富仁;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880013136.2有效
发明人：佐佐木公平;胁本大树;小石川结树;韶光秀 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种包括Ga2O3系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具有：半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；阳极电极(11)，其与半导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Fe或者Cu；以及阴极电极(12)。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202010730192.7在审
发明人：崔基埈 -专利权人：硅工厂股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：公开了一种可以应用于诸如移动集成电路的需要低截止电流(Ioff)的应用的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管能够通过改善由耗尽而夹断的接触表面的结构，从而在保持导通电流的优势的同时，改善对于反向电流的阻断特性。
肖特基势垒二极管

[实用新型]一种肖特基势垒二极管-CN202222505820.9有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒二极管，通过在沟道层上设置采用渐变Al组分超晶格结构的势垒层，提升了肖特基势垒二极管的二维电子气浓度，使得肖特基势垒二极管的外延质量不因材料应力的影响而下降，有效降低了横向结构肖特基势垒二极管的漏电流，从而提升了肖特基势垒二极管的截止频率。
一种肖特基势垒二极管

[发明专利]串联二极管、电路以及电气装置-CN201980083380.0在审
发明人：稻田正树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。
串联二极管电路以及电气装置

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211151708.8在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，通过在沟道层上设置采用渐变Al组分超晶格结构的势垒层，提升了肖特基势垒二极管的二维电子气浓度，使得肖特基势垒二极管的外延质量不因材料应力的影响而下降，有效降低了横向结构肖特基势垒二极管的漏电流，从而提升了肖特基势垒二极管的截止频率。
一种肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种IGBT器件及制造方法-CN201711245096.8有效
发明人：左义忠;王宇;王修忠;麻建国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT器件包括绝缘栅场效应管、位于绝缘栅场效应管漏区的肖特基势垒二极管，肖特基势垒二极管和绝缘栅场效应管通过共用的N‑漂移区复合而成，在肖特基势垒二极管中通过肖特基势垒接触形成IGBT器件的一个发射结，IGBT的发射极位于绝缘栅场效应管的上表面、集电极位于肖特基势垒二极管的下表面。本发明提供的IGBT器件采用MOS管结合肖特基势垒二极管的结构形式构成，利用肖特基势垒二极管中少子对MOS中的漂移区进行导电调制，获得了改善的性能。
一种 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202110954158.2在审
发明人：徐洋喜 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法，涉及肖特基势垒二极管领域，该肖特基势垒二极管的N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，肖特基窗口处设置有金属场板终端，金属场板终端包括在N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层，利用MoN合金可以改善肖特基接触中存在的势垒非均匀现象，使得该肖特基势垒二极管在不同测试温度下，肖特基势垒几乎不发生变化，势垒的非均匀性得到明显的改善，从而提高肖特基二极管的电学性能。
一种基于 mon 合金肖特基势垒二极管及其制作方法

[实用新型]肖特基势垒二极管-CN201120008399.X无效
发明人：张春培 -专利权人：连云港金堂福半导体器件有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒的两侧设置有焊片，所述焊片的外侧设置有引线装置，所述晶粒、焊片与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒、焊片和引线装置的一端包覆在内本实用新型产品可广泛适用于各种需要使用肖特基势垒二极管的场合。
肖特基势垒二极管

[发明专利]具有PNPN构造的发光器件和发光器件阵列-CN03802717.8有效
发明人：大野诚治 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包括发光闸流管和肖特基势垒二极管的发光器件。使由PNPN构造构成的3端子发光闸流管的控制板层接触金属端子形成至少肖特基势垒二极管。这样的肖特基势垒二极管用作二极管结型自扫描型发光器件阵列的耦合二极管的话，自扫描型发光器件阵列用3.0V就能驱动。
具有 pnpn 构造发光器件阵列

[发明专利]高压电源装置-CN202011567592.7在审
发明人：唐岳民 -专利权人：尼得科艾莱希斯电子（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H02M3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压电源装置，包括：多个基板型电源，该多个基板型电源彼此独立；以及内部电路部，该内部电路部包括多个肖特基势垒二极管，该多个肖特基势垒二极管彼此串联连接，并且所述多个肖特基势垒二极管中的每个肖特基势垒二极管的两端与所述多个基板型电源中的每个基板型电源的两端分别并联连接
高压电源装置

[发明专利]过热保护装置-CN03819491.0有效
发明人：臼井浩 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2003-08-11 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明的直流电流装置的过热保护装置中，作为温度变化检测元件设有取代恒温器、热敏电阻、正温度系数热敏电阻等的肖特基势垒二极管17。肖特基势垒二极管17配置在检测温度变化的部位。对肖特基势垒二极管17上加反向电压。肖特基势垒二极管17与可控硅元件18的栅极连接。可控硅元件18经由电阻20与控制电源用电容C2并联连接。肖特基势垒二极管17成为过热状态时，反向电流增大，可控硅元件18被触发。可控硅元件18导通时，控制电源被截断。结果，主开关Q1的导通/断开动作停止，从而实现直流电流装置的过热保护。
过热保护装置

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制备方法和应用-CN202310546586.0在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。该肖特基势垒二极管包括：衬底、在衬底上依次层叠设置的AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；InGaN背势垒层中In的含量在远离衬底的方向上逐渐增加。上述肖特基势垒二极管中，In的含量在远离衬底的方向上逐渐增加的InGaN背势垒层可以有效地抑制GaN缓冲层短沟道效应，且该InGaN背势垒层对于GaN沟道层可以形成一个较高的背势垒，有利于提升二维电子气的局域性，能够抑制沟道中的二维电子向缓冲层的溢出，使得肖特基势垒二极管的电学性能具有较好的稳定性。
肖特基势垒二极管及其制备方法应用

[发明专利]具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管-CN201410114248.0无效
发明人：刘彦涛;王斌;黄福成;田振兴 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管属于分立半导体器件技术领域。现有技术普遍使用Cr作为肖特基势垒二极管的材料势垒，然而，Cr的功函数较低，导致器件I_R参数能力较弱。本发明之具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管其特征在于，与N型硅半导体材料形成肖特基势垒层的金属材料为CrCu合金，Cu在CrCu合金中的质量百分含量为0.5～0.35%。本发明其技术效果在于，使得肖特基势垒二极管的I_R的值能够降低30%以上，如从40μA降低到20μA，参数能力得到明显改善。
具有 crcu 合金肖特基势垒二极管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top